公司介绍-大芯超导有限公司

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大芯超导有限公司
会员级别：未认证我要认证
所在地址：深圳市宝安区德至高科技园
联系电话： 未认证电话 我要认证
手　　机： 未认证电话 我要认证
成立时间：2012
主营行业：光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，国产IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，国产混合IGBT单管，国产混合三电平SiC-IGBT模块,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，国产分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFET，国产碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏

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公司介绍

大芯超导有限公司元器件专业分销商BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1，BGH50N65ZF1，BGH75N65HF1，BGH75N65ZF1，BGH40N120HF特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ，基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。BASiC基本半导体混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化... [详细介绍]

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